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ポリモリブデン酸コバルト触媒を修飾したカーボンナイトライド光触媒による高効率な光酸素生成反応

各種機能性分子と半導体を複合化した光触媒を用いた光エネルギー変換に関する研究が近年盛んに行われています。グラフィティックカーボンナイトライド(g-C₃N₄)は金属元素を含まない可視光応答型のn型半導体であり、その伝導帯下端の電位が水やCO₂の還元反応に対して充分負電位側に位置しているため広く用いられています。しかしながら、g-C₃N₄の価電子帯の電位は水の酸化反応に対して駆動力が比較的小さい(約580 meV)ため、分子性触媒修飾g-C₃N₄光触媒による光酸素生成反応はキュバン型四核Co(II)錯体を触媒として用いたものしか報告されていません。本研究では、新規分子性触媒修飾g-C₃N₄光触媒を開発することを目的として、以前我々が報告したポリモリブデン酸コバルト分子性酸素生成触媒を用いた新規光触媒の作製、およびその酸素生成触媒機能の評価を行っています。